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【商品简介】：
产品特点：
本机是制造中，大规模集成电路，传感器，表面波元件，磁泡，微波和CCD等器件的重要光刻设备。
主要技术参数:
1.适用的掩模尺寸:a.100X100X2－3mm；b.75X75X2—3mm；c.63X63X2—3(选购)；
2.适用的硅片尺寸:φ35—75mm
3.光刻图形线条:3-4μm, 最细可达2μm
4.掩模与硅片之间的相对位移范围:X/Y±2.5mm,(族转) ±6°
5.承片台(硅片)绕主轴旋转:粗调360度,可微调
6.承片工作台综合移动范围:X,Y合成φ75mm
7.承片台的球座平面至掩模板面升降:0—7.5mm
8.曝光灯源：GCQ200W超高压汞灯，曝光波长，300―436nm
9.曝光系统能量不低于：7mw
10.曝光系统的照度均匀度在φ75mm范围内：±5％
11.显微镜的照明波长：≈545nm
12.曝光时间控制范围：0.1秒—99分
13.双目显微镜的放大倍数:a.目镜共二种:10X,16X；b.平视场物镜共三种:6X,9X,15X；c.合成放大倍率:60X—240X；
14.真空接触压力:≥0.7kgf
15.装箱尺寸：1000X850X980mm(2只)
16.装箱重量：200kg
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